기술지원
01
금속 처리시 열 해석 및 구조 해석
금속은 열처리 과정 중에 고온의 열 하중을 받을 수 있고, 자체의 상당한 자중을 견뎌야 합니다. 그러므로 공정에서 효과적인 온도 분포 및 자중을 견딜 수 있는 설계가 이루어져야 합니다.
| 목적 | 금속 제품 열 가공 시 온도 분포 계산 철강 제품 지지 구조물의 적절한 강도 설계 |
|---|---|
| 모델링 범위 | 금속 형상 모델링, 지지 구조물 모델링 |
| 필요 데이터 | 재질 및 형상 데이터, 열 가공 조건 |
| 해석 방법 | 구조물에 가해지는 열, 대류 특성을 정확히 입력하여 금속의 열 가공 시 발생하는 온도 분포를 계산합니다. Steady State Thermal Analysis Static Structural Analysis |
| 결과물 | 금속 가공물의 온도분포 지지 구조물에 발생하는 변위 및 응력분포 |
02
Metal forming 공정 해석
금속제품은 단조 및 주조 등과 같이 여러 가공 공정을 거치게 되며 공정 중 하자가 발생하면 제품 전체의 하자로 연결 됩니다.
따라서 여러 단계의 공정 중에 발생하는 변형 및 응력분포를 충분히 검토해야 합니다.
| 목적 | 성형 가공의 과정을 시뮬레이션 성형 가공 공정 시 발생하는 응력 및 변위량을 계산 |
|---|---|
| 모델링 범위 | 강체 모델링, 가공소재 모델링 |
| 필요 데이터 | 성형가공 시뮬레이션 조건, 재질 및 치수 |
| 해석 방법 | 금속제품이 제대로 가공되는지 확인하기 위해서 대변형, 대변형률 해석을 수행합니다. 성형가공 작업 시 정확한 변형이 이루어지는지 확인합니다. Static Structural Analysis Nonlinear Structural Analysis Time Transient Analysis |
| 결과물 | 금속제품 비선형 변형 결과 소성 변형량, 잔류응력 |
03
연속주조 Mold 유동 해석
몰드는 매우 복잡한 물리 현상을 포함하는 Multi-fluid, Multi-species, Multi-phase System입니다.
| 목적 | 용강의 지나친 탕면 변동성 감소를 위한 SEN Redesign |
|---|---|
| 모델링 범위 | Mold inlet(SEN) ~ Mold outlet |
| 필요 데이터 | 도면, 용강 유입 유량, 응고 온도 |
| 해석 방법 | VOF 모델을 이용하여 SEN을 통해 유입되는 용강을 설정하고, 3-Port SEN 형상 개선을 통해 안정화된 탕면 속도를 확보합니다. Transient Heat Transfer Volume of Fluid Model |
| 결과물 | 용강 속도 분포 온도 분포 |
04
Tundish 형상 최적화
몰드 내로 공급되는 용강의 유 동 안정화, 개재물 관리를 위한 Tundish 공정 기술 확보가 필요합니다.
| 목적 | 개재물의 제거능 향상을 위한 턴디시 구조물 설계 |
|---|---|
| 모델링 범위 | Tundish |
| 필요 데이터 | 도면, 용강 유입량, 개재물 분포 |
| 해석 방법 | VOF 모델을 이용하여 Tundish 내의 용강을 설정하고, DPM기법을 이용하여 개재물을 설정합니다. Transient Heat Transfer Volume of Fluid Model DPM Model |
| 결과물 | Tundish 내 용강의 난류 특성 개재물 재거능 비교 Tundish 내 용강의 온도 분포 |
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본 교육은 ANSYS SIwave와 HFSS를 이용한 SI/PI/EMI 해석 기초이론 교육입니다. 특히 전기전자 분야를 전공하지 않은 비전공자를 대상으로 전기전자 및 일반 산업 기기 전반에 걸쳐 주요관심사로 대두되고 있는 SI/PI/EMI에 대하여 쉽게 이해하고 접근할 수 있도록 구성하였습니다.
주요 내용으로 전자기학 기초, 전자부품 기초 및 SI/PI/EMI 기초로 구성 되어 있습니다. 본 과정을 수료함으로써 현업에서의 SI/PI/EMI에 대한 이해에 도움이 될 것입니다.
#일시: 2016년 9월 27일(화) 10:00~17:00
#강사: 태성에스엔이 김지원 부장 /
#교육비: 무상
10:00~11:30 : 전기전자 기초 교육
- SI/PI/EMI 이해를 돕기 위한 기초 이론 교육
- 전자기학 기초
- 전자부품 기초
11:40~13:00 : SI/PI 기초 이론
- Signal Integrity 기초
- Power Integrity 기초
13:00~14:00 : 점심 식사
14:00~15:30 : EMI 기초 이론
- EMI/EMC 기초 이론 교육
- EMI/EMC 적용 사례 분석
15:40~17:00 : ANSYS SI/PI/EMI 해석 Solution Q&A
본 교육은 ANSYS SIwave와 HFSS를 이용한 SI/PI/EMI 해석 기초이론 교육입니다. 특히 전기전자 분야를 전공하지 않은 비전공자를 대상으로 전기전자 및 일반 산업 기기 전반에 걸쳐 주요관심사로 대두되고 있는 SI/PI/EMI에 대하여 쉽게 이해하고 접근할 수 있도록 구성하였습니다.
주요 내용으로 전자기학 기초, 전자부품 기초 및 SI/PI/EMI 기초로 구성 되어 있습니다. 본 과정을 수료함으로써 현업에서의 SI/PI/EMI에 대한 이해에 도움이 될 것입니다.
#일시: 2016년 9월 27일(화) 10:00~17:00
#강사: 태성에스엔이 김지원 부장 /
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- SI/PI/EMI 이해를 돕기 위한 기초 이론 교육
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- Signal Integrity 기초
- Power Integrity 기초
13:00~14:00 : 점심 식사
14:00~15:30 : EMI 기초 이론
- EMI/EMC 기초 이론 교육
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본 교육은 ANSYS SIwave와 HFSS를 이용한 SI/PI/EMI 해석 기초이론 교육입니다. 특히 전기전자 분야를 전공하지 않은 비전공자를 대상으로 전기전자 및 일반 산업 기기 전반에 걸쳐 주요관심사로 대두되고 있는 SI/PI/EMI에 대하여 쉽게 이해하고 접근할 수 있도록 구성하였습니다.
주요 내용으로 전자기학 기초, 전자부품 기초 및 SI/PI/EMI 기초로 구성 되어 있습니다. 본 과정을 수료함으로써 현업에서의 SI/PI/EMI에 대한 이해에 도움이 될 것입니다.
#일시: 2016년 9월 27일(화) 10:00~17:00
#강사: 태성에스엔이 김지원 부장 /
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