태성에스엔이

확장 분야 – 최적설계

구조물 경량화를 위한 최적화

구조 설계는 목표성능을 유지하면서 다양한 하중들에 대한 충분한 강성을 가질 수 있도록 설계되어야 합니다. 또한 제품원가 절감 목표도 함께 요구됩니다.

목적	개념 설계(구조하중 측면) 구조하중에 대한 설계 치수 산출 확률론적 안전율 및 성능 예측
모델링 범위	가공되지 않은 제품의 기본 형상
필요 데이터	CAD 데이터, 재료 물성
해석 방법	기본 형상에서 형상 추출 영역 선정 후 위상 최적화를 수행하고 설계 치수 선정 후 변수 상관관계 분석 및 근사 최적화를 수행합니다. 최종적으로 치수의 공차 산포 데이터를 반영하여 신뢰성 최적화를 수행합니다. Static Structural Analysis 위상최적화, 형상최적화
결과물	하중에 적합한 기초 형상 예측 기초형상의 상세설계를 위해 최적화 된 설계 기준 성능에 영향을 미치는 주요 설계변수의 민감도 관계 제공

Hammer의 허용하중 및 중량을 고려한 설계 최적화

Oil, Gas의 효율적인 탐사를 위해서 굴착성능이 높은 Hammer의 설계 가 필수적입니다. 굴착성능을 높이 기 위해서는 충격하중과 수압을 견딜수 있는 구조 강도가 필요하며 극한의 사용환경에서 성능의 신뢰 성을 확보할 수 있는 설계가 필요 합니다.

목적	재료의 강성과 60개의 설계인자들의 산포도를 반영하고 수심 400m의 환경 조건들을 고려하여 Hammer의 허용하중에 적합한 구조 설계를 수행 허용 응력과 경량화를 제약조건으로 반영
모델링 범위	하중 전달경로의 모든 조립품
필요 데이터	CAD 데이터, 재료 물성, 치수공차 및 가공 산포 측정 값
해석 방법	모든 설계 치수에 대한 공차 산포 값을 입력변수로 설정하고 응력과 중량에 대한 제약조건 및 치수 공차 산포 테이터를 반영하여 신뢰성 최적화를 수행합니다. Transient Analysis
결과물	성능에 영향을 미치는 주요 설계변수의 민감도 관계 제공 최적의 설계 조건 확보 초기 설계보다 허용 하중을 증량하는 성능 확보

Cleanroom 하부 타공률 최적화

클린룸 하부 Access Floor의 타공률을 조절하여 클린룸 내 공기 순환 효율을 향상합니다. 이때 최적화 기법을 이용하여 최적의 타공률 분포를 확인 할 수 있습니다.

목적	최적의 타공률 분포를 통한 클린룸 내부 공기 순환 효율 향상
모델링 범위	클린룸 내부 전체 및 Access Floor 위치
필요 데이터	클린룸 형상, Access Floor 압력 손실 계수, 물성 정보 등
해석 방법	기준 형상에 대한 압력 및 유동장 계산 후 Access Floor에 대한 압력 손실 계수를 입력 변수로 클린룸 내부 편류도(Deflection Angle)을 출력 변수로 선정하여 최적의 Access Floor 압력 손실 계수 결과를 획득할 수 있습니다. Steady Turbulence Model Porous Jump 최적화 기법(optiSLang)
결과물	최적의 Access Floor 압력 손실 계수 클린룸 내부 압력 및 속도 분포

SCR 내부 촉매층 NH3 균일화

Selective Catalytic Reduction 장비에서 촉매층은 NoX저감시키는 역할을 한다. 이는 촉매층에서의 NH3의 분포가 얼마나 균일한가에 따라 영향을 받는다.
이에 따라, SCR 장비의 형상 변수 변경에 따른 촉매층에서의 최적의 NH3의 균일화 를 얻을 수 있다.

목적	SCR 내부 촉매층에서의 NH3 균일화
모델링 범위	SCR 형상, NH3 Injetion 위치
필요 데이터	SCR 형상, NH3 Injetion 위치/분사량, 물성 정보 등
해석 방법	기준 형상 촉매층에서의 NH3 균일도를 확인하고 형상 변수를 입력 변수로 설정하여 이에 따른 촉매층에서의 NH3 균일도를 비교하여 최적해를 획득 할 수 있습니다. Steady Turbulence Model DPM Model 최적화 기법(optiSLang)
결과물	촉매층에서의 NH3 균일도 변화 SCR 내부 압력 및 유동장

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교육상세내용
Workbench Mechanical DesignModeler

SI/PI/EMI 기초 교육

본 교육은 ANSYS SIwave와 HFSS를 이용한 SI/PI/EMI 해석 기초이론 교육입니다. 특히 전기전자 분야를 전공하지 않은 비전공자를 대상으로 전기전자 및 일반 산업 기기 전반에 걸쳐 주요관심사로 대두되고 있는 SI/PI/EMI에 대하여  쉽게 이해하고 접근할 수 있도록 구성하였습니다.
주요 내용으로 전자기학 기초, 전자부품 기초 및 SI/PI/EMI 기초로 구성 되어 있습니다. 본 과정을 수료함으로써 현업에서의 SI/PI/EMI에 대한 이해에 도움이 될 것입니다.

#일시: 2016년 9월 27일(화) 10:00~17:00
#강사: 태성에스엔이 김지원 부장 /
#교육비: 무상

10:00~11:30 : 전기전자 기초 교육
- SI/PI/EMI 이해를 돕기 위한 기초 이론 교육
- 전자기학 기초
- 전자부품 기초

11:40~13:00 : SI/PI 기초 이론
- Signal Integrity 기초
- Power Integrity 기초
13:00~14:00 : 점심 식사
14:00~15:30 : EMI 기초 이론
- EMI/EMC 기초 이론 교육
- EMI/EMC 적용 사례 분석

15:40~17:00 : ANSYS SI/PI/EMI 해석 Solution Q&A

본 교육은 ANSYS SIwave와 HFSS를 이용한 SI/PI/EMI 해석 기초이론 교육입니다. 특히 전기전자 분야를 전공하지 않은 비전공자를 대상으로 전기전자 및 일반 산업 기기 전반에 걸쳐 주요관심사로 대두되고 있는 SI/PI/EMI에 대하여  쉽게 이해하고 접근할 수 있도록 구성하였습니다.
주요 내용으로 전자기학 기초, 전자부품 기초 및 SI/PI/EMI 기초로 구성 되어 있습니다. 본 과정을 수료함으로써 현업에서의 SI/PI/EMI에 대한 이해에 도움이 될 것입니다.

#일시: 2016년 9월 27일(화) 10:00~17:00
#강사: 태성에스엔이 김지원 부장 /
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- SI/PI/EMI 이해를 돕기 위한 기초 이론 교육
- 전자기학 기초
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11:40~13:00 : SI/PI 기초 이론
- Signal Integrity 기초
- Power Integrity 기초
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14:00~15:30 : EMI 기초 이론
- EMI/EMC 기초 이론 교육
- EMI/EMC 적용 사례 분석

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본 교육은 ANSYS SIwave와 HFSS를 이용한 SI/PI/EMI 해석 기초이론 교육입니다. 특히 전기전자 분야를 전공하지 않은 비전공자를 대상으로 전기전자 및 일반 산업 기기 전반에 걸쳐 주요관심사로 대두되고 있는 SI/PI/EMI에 대하여  쉽게 이해하고 접근할 수 있도록 구성하였습니다.
주요 내용으로 전자기학 기초, 전자부품 기초 및 SI/PI/EMI 기초로 구성 되어 있습니다. 본 과정을 수료함으로써 현업에서의 SI/PI/EMI에 대한 이해에 도움이 될 것입니다.

#일시: 2016년 9월 27일(화) 10:00~17:00
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- SI/PI/EMI 이해를 돕기 위한 기초 이론 교육
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11:40~13:00 : SI/PI 기초 이론
- Signal Integrity 기초
- Power Integrity 기초
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14:00~15:30 : EMI 기초 이론
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15:40~17:00 : ANSYS SI/PI/EMI 해석 Solution Q&A

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